Skip to content

Полевой транзистор уго гост

Скачать полевой транзистор уго гост djvu

Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. Примеры построения обозначений транзисторов Таблица 7 Наименование Обозначение 1.

Справочник по импортным биполярным транзисторам. Транзистор типа PNP 3. Транзистор однопереходный с P-базой 6. Транзистор полевой с затвором Шоттки 8.

Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены. №. Наименование. Обозначение. 1. Транзистор полевой с каналом типа N. 2. Транзистор полевой с каналом типа Р. 3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом. б) обогащенного типа с N-каналом.  ГОСТ , ГОСТ Размеры УГО в электрических схемах. Чертежи и схемы для проекта освещения в Visio.

Размеры обозначений в электрических схемах. Обозначение УЗО и дифференциального автомата. Аппараты РУ. Обозначения условные графические на схемах. ГОСТ Таблица 7. Графические обозначения трубопроводной арматуры. 9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8. Таблица 8. Наименование 1. Транзистор полевой с каналом типа N. Обозначение. 2. Транзистор полевой с каналом типа Р.  При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ —74, например: 2.

Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например: Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл.

Единая система конструкторской документации обозначения условные графические в схемах ГОСТ ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ Москва.

Государственный стандарт союза сср. Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.  Наименование 1. Транзистор полевой с каналом типа N. Обозначение. 2. Транзистор полевой с каналом типа Р. 3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом. б) обогащенного типа с N-каналом. в) обедненного типа с Р-каналом. г) обедненного типа с N-каналом. Обозначения условные графические в схемах.

Приборы полупроводниковые. Обозначение: ГОСТ Наименование: Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.

Статус  9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. I. w. Примеры построения обозначений полевых транзисторов.

Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем. Приложение 2 (справочное).  ГОСТ Группа Т52 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ. Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах.

Приборы полупроводниковые. Unified system for design documentation. Обозначения общего применения, используемые в элек-трических схемах определяются требованиями ГОСТ Они относятся к обозначениям потока электромагнитной энер-.

гии, графическому обозначению различных видов регулирова-ния параметров элементов и т.п. В области графических обозначений элементов, относя-щихся к электрическим машинам, действует ГОСТ Электроизмерительные приборы обозначаются по ГОСТ   Наименование Полевой транзистор с изолиро-ванным затвором: а) обогащенного типа с p-каналом.

б) обогащенного типа с n-каналом. Большое пополнение происходит и в группе полевых транзисторов, условные графические обозначения которых пока никак не отмечены в отечественных стандартах. Транзисторы. Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Большую группу этих приборов составляют биполярные транзисторы, имеющие два р–n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой – с коллектором (коллекторный переход).  УГО транзисторов. Окончание табл. Электровакуумные приборы (ГОСТ ). Полевой транзистор с обогащенным изолированным объединенным затвором и с p-каналом. Полевой транзистор с обогащенным изолированным объединенным затвором и с n-каналом.  Условное обозначение (УГО) транзисторов различных типов по ГОСТ Тип транзистора Графическое обозначение Транзистор структуры p-n-p Транзистор структуры p-n-p, коллектор электрически соединен с корпусом прибора Транзистор лавинного типа структуры n-p-n Однопереходный транзистор с n-базой Однопереходный транзистор с p-базой Транзистор с двумя базами структуры n-p-n Многоэмиттерный транзистор структуры n-p-n Полевой.

транзистор с n-каналом Полевой транзистор с [ ].

doc, PDF, PDF, djvu